L'ELECTRONIQUE FACILE ET AMUSANTE
- Il peut arriver que l'on ait besoin d'un transistor aux caractéristiques quelque peu extra-terrestres: Tension de collecteur, courant, dissipation et gain en courant très proches des limites théoriques. Il suffit de penser à la régulation série ou parallèle d'une alimentation stabilisée ou tout simplement à l'étage de puissance d'un amplificateur.
- Un transistor tout seul est incapable d'atteindre de tels objectifs (la plupart des transistors de puissance ont un gain faible en puissance ont un gain faible en courant continu et alternatif (Hfe de transistor), mais l'union faisant la force, une combinaison de plusieurs transistors permet de réaliser l'impossible. Selon la disposition choisie, on peut simuler le comportement d'un transistor NPN ou PNP.
- Dans le schéma, on utilise quatre transistors. L'adjonction des transistors T1...T3 permet l'obtention d'un gain très élevé. Une évaluation de ce gain (fonction des valeurs de R1,R3 et R4), donne un Hfe de 500 000 au minimum. Les autres maxima frisent les limites connues et admissibles du transiostor 2N3055.
- Dissipation maximale de 115 W (à 25° C), VCE de 60V maximum et courant collecteur maximal de 15A. La tension de saturation de la combinaison NPN est de 2V environ, celle de la combinaison PNP de 3 V approximativement.
Elektor (Juillet/Aout 1983)
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